[发明专利]基板处理方法和基板处理装置在审
| 申请号： | 202111543383.3 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114695181A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 五师源太郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括以下工序：升压工序，在形成有液膜的基板被基板保持部保持并被收容于处理容器内的状态下，通过向处理容器内供给处理流体来使处理容器内的压力上升至预先决定的处理压力；以及流通工序，在升压工序之后，一边将处理容器内的压力维持为处理压力，一边从第二喷出部向处理容器内供给处理流体并且从排出部排出处理容器内的处理流体。升压工序包括以下阶段：第一升压阶段，通过从第一喷出部向处理容器内供给处理流体，来使处理容器内的压力上升至预先决定的切换压力；以及第二升压阶段，通过从第二喷出部向处理容器内供给处理流体，来使处理容器内的压力从切换压力上升至处理压力。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
