[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括以下工序：升压工序，在形成有液膜的基板被基板保持部保持并被收容于处理容器内的状态下，通过向处理容器内供给处理流体来使处理容器内的压力上升至预先决定的处理压力；以及流通工序，在升压工序之后，一边将处理容器内的压力维持为处理压力，一边从第二喷出部向处理容器内供给处理流体并且从排出部排出处理容器内的处理流体。升压工序包括以下阶段：第一升压阶段，通过从第一喷出部向处理容器内供给处理流体，来使处理容器内的压力上升至预先决定的切换压力；以及第二升压阶段，通过从第二喷出部向处理容器内供给处理流体，来使处理容器内的压力从切换压力上升至处理压力。

技术领域

本公开涉及一种基板干燥方法和基板干燥装置。

背景技术

近年来，在半导体装置的制造中进行超临界干燥处理，在超临界干燥处理中，使上表面被处理液润湿的基板与超临界状态的处理流体接触，来通过超临界状态的处理流体置换处理液，由此使基板干燥。在专利文献1中，记载了一种超临界干燥方法和用于实施该方法的装置。在专利文献1中记载了：首先从下部供给端口向腔室(处理容器)内供给超临界流体，在腔室内的压力达到临界压力之后，从上部供给端口以大流量向腔室供给超临界流体。使从下部供给端口喷出的超临界流体不直接到达基板，而是在撞到遮挡板之后扩散至腔室内。另一方面，从上部供给端口喷出的超临界流体被设置为直接去向基板的表面。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-251550

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够减少在使用超临界状态的处理流体使基板干燥时在基板上产生的微粒量的技术。

用于解决问题的方案

根据一个实施方式，提供一种使用基板处理装置执行的基板处理方法，所述基板处理装置具备：处理容器，其用于收容基板；基板保持部，其在所述处理容器内将所述基板以形成有液膜的所述基板的表面朝向上的状态水平地保持；主供给线路，其与供给超临界状态的处理流体的处理流体供给部连接；第一分支供给线路和第二分支供给线路，所述第一分支供给线路和所述第二分支供给线路是在设定于所述主供给线路的第一分支点处从所述主供给线路分支出来的分支供给线路；第一喷出部，其与所述第一分支供给线路连接，将从所述第一分支供给线路输送来的处理流体朝向所述处理容器内的、被所述基板保持部保持的基板的下方的空间喷出；第二喷出部，其与所述第二分支供给线路连接，将从所述第二分支供给线路输送来的处理流体朝向所述处理容器内的、所述基板的表面的上方的空间喷出；排出部，其从所述处理容器排出处理流体；以及排出线路，其与所述排出部连接，所述基板处理方法包括以下工序：升压工序，在形成有所述液膜的所述基板被所述基板保持部保持并被收容于所述处理容器内的状态下，通过向所述处理容器内供给处理流体来使所述处理容器内的压力上升至预先决定的处理压力；以及流通工序，在所述升压工序之后，一边将所述处理容器内的压力维持为所述处理压力，一边从所述第二喷出部向所述处理容器内供给处理流体并且从所述排出部排出所述处理容器内的处理流体，其中，所述升压工序包括以下阶段：第一升压阶段，通过从所述第一喷出部向所述处理容器内供给处理流体，来使所述处理容器内的压力上升至预先决定的切换压力；以及第二升压阶段，在所述第一升压阶段之后，通过从所述第二喷出部向所述处理容器内供给处理流体，来使所述处理容器内的压力从所述切换压力上升至所述处理压力。

发明的效果

根据本公开，能够减少在使用超临界状态的处理流体使基板干燥时在基板上产生的微粒量。

附图说明

图1是一个实施方式所涉及的超临界干燥装置的配管系统图。

图2A是表示第二喷出部的具体结构的一例的从上方观察到的概要图。

图2B是表示第二喷出部的具体结构的一例的从侧方观察到的概要图。