[发明专利]一种大尺寸碳化硅单晶的PVT生长装置在审
| 申请号： | 202111543070.8 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114318515A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 康俊勇;尹君;康闻宇 | 申请（专利权）人： | 唤月照雪（厦门）科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种大尺寸碳化硅单晶的PVT生长装置，包括生长炉、X射线原位成像模块和控制系统，生长炉由外至内包括炉壁、保温毡、板型电阻加热器和坩埚，X射线原位成像模块包括分别设于生长炉的单晶生长的径向方向的相对两侧的X射线源和X射线成像接收器；炉壁于径向方向的两侧具有用于X射线透过的非金属窗口，保温毡、板型电阻加热器和坩埚均由非金属材料制成；控制系统接收X射线成像接收器的成像信号，并控制X射线源和板型电阻加热器工作。该生长装置可满足大尺寸碳化硅PVT单晶生长所需的较小径向温度梯度和必要的轴向温度梯度，并且利用原位监测的信息反馈，对于高质量、大尺寸碳化硅单晶衬底的PVT生长过程调控具有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 碳化硅 pvt 生长 装置 | ||
【主权项】：
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