[发明专利]具有低接触电阻率的晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 202111538504.5 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114267727B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘胜厚;林科闯;孙希国;请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人： | 宋南 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供一种具有低接触电阻的晶体管及其制作方法，该晶体管包括依次形成的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层的源极区域和漏极区域分别形成有离子注入区，在离子注入区形成有多个间隔设置的凹槽。在离子注入区表面以及各凹槽内沉积形成有欧姆金属，欧姆金属与各凹槽的底部和侧壁相接触。本方案中，通过形成于离子注入区的凹槽，可以使得欧姆金属不仅可以与离子注入区的表面接触，还可以与凹槽的侧壁接触，从而增加了欧姆金属与半导体的接触面积，进而降低欧姆接触电阻率，并且结合离子注入区可以进一步地达到降低欧姆接触电阻率的效果，且无需进行退火工艺进而避免产生在器件表面产生毛刺进而影响器件性能的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 接触 电阻率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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