[发明专利]碳化硅表面缺陷态能量分布测量方法、系统及存储介质在审
| 申请号： | 202111527712.5 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114216939A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 宋立辉;皮孝东;杨德仁;熊慧凡 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | G01N27/24 | 分类号： | G01N27/24 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅表面缺陷态能量分布测量方法、系统及存储介质，先分别在不同施加电压、不同温度、不同电压脉冲时间的条件下，通过深能级瞬态谱仪器测量得到碳化硅晶圆与金属电极点构成的肖特基结构的瞬态电容变化曲线，然后根据瞬态电容变化曲线，得到耗尽层宽度曲线，再根据所述耗尽层宽度曲线，计算出瞬态电压曲线，最后根据瞬态电压曲线计算出碳化硅晶圆表面缺陷态的能级位置以及对应缺陷态密度，从而得出碳化硅晶圆的缺陷态态密度能级分布规律。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 表面 缺陷 能量 分布 测量方法 系统 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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