[发明专利]一种RFLDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111520626.1 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114242593A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 遇寒;张津铭;李冰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L23/552;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种RFLDMOS器件及其制造方法，提供衬底，衬底上设置有外延层；在外延层上方依次淀积第一层介质层和第一层法拉第屏蔽层；利用光刻刻蚀工艺形成第一层法拉第屏蔽罩；淀积第二层介质层，并利用光刻刻蚀工艺去除覆盖第一层法拉第屏蔽罩的部分第二层介质层，使部分第一层法拉第屏蔽罩裸露；淀积第二层法拉第屏蔽层，并利用光刻刻蚀工艺形成第二层法拉第屏蔽罩，第一层法拉第屏蔽罩和第二层法拉第屏蔽罩形成互联结构；淀积金属前介质层，形成下沉通道和接触孔。本发明解决了高频下现有法拉第屏蔽罩的寄生电阻易引起较大反馈电容并引入非线性的问题；达到了改善高频下RFLDMOS器件的反馈电容和线性度，提升RFLDMOS器件的宽带性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rfldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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