[发明专利]一种RFLDMOS器件及其制造方法

说明书

本发明提供一种RFLDMOS器件及其制造方法，提供衬底，衬底上设置有外延层；在外延层上方依次淀积第一层介质层和第一层法拉第屏蔽层；利用光刻刻蚀工艺形成第一层法拉第屏蔽罩；淀积第二层介质层，并利用光刻刻蚀工艺去除覆盖第一层法拉第屏蔽罩的部分第二层介质层，使部分第一层法拉第屏蔽罩裸露；淀积第二层法拉第屏蔽层，并利用光刻刻蚀工艺形成第二层法拉第屏蔽罩，第一层法拉第屏蔽罩和第二层法拉第屏蔽罩形成互联结构；淀积金属前介质层，形成下沉通道和接触孔。本发明解决了高频下现有法拉第屏蔽罩的寄生电阻易引起较大反馈电容并引入非线性的问题；达到了改善高频下RFLDMOS器件的反馈电容和线性度，提升RFLDMOS器件的宽带性能的效果。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种RFLDMOS器件及其制造方法。

背景技术

RFLDMOS(Radio Frequency Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，射频横向双扩散场效应晶体管)是一种射频功率器件，具有高增益、高线性、高耐压、高输出功率等特点，被广泛应用于射频基站、无线广播站、雷达等领域，采用功率阵列及多芯片合成，产品输出功率可达500W以上。

导通电阻和输出电容是影响RFLDMOS效率的主要因素。降低导通电阻和输出电容可以减小这两者带来的功率损耗，从而提高器件的效率和增益。减小栅源电容和反馈电容可以有效地提高器件的特征频率和最高震荡频率和增益。

在RFLDMOS器件中，利用法拉第屏蔽罩屏蔽栅极，以减低漏极与栅极之间的反馈电容Cgd。然而，同时法拉第屏蔽罩寄生电阻会对反馈电容Cgd产生影响。如图1所示，显示为现有RFLDMOS器件的频率和反馈电容(Cgd)曲线；曲线101对应的寄生电阻为0ohm，曲线102对应的寄生电阻为10ohm，曲线103对应的寄生电阻为20ohm，曲线104对应的寄生电阻为40ohm，曲线105对应的寄生电阻为100ohm。从图中可知，随着法拉第屏蔽罩寄生电阻的增大，反馈电容Cgd也逐渐增大，尤其在高频下，寄生电阻对反馈电容Cgd影响越大；另外，法拉第屏蔽罩方块电阻对DPD后线性度存在非常大的影响，较大的法拉第屏蔽罩寄生电阻将引起频率与反馈电容Cgd的非线性，如曲线105所示。由此可见，法拉第屏蔽罩寄生电阻是决定高频下RFLDMOS射频性能的一个极其重要的因素。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种RFLDMOS器件及其制造方法，用以降低现有的RFLDMOS器件法拉第屏蔽罩的寄生电阻。

本发明提供一种RFLDMOS器件的制造方法，包括以下步骤：

步骤一、提供衬底，所述衬底上设置有外延层，所述外延层中设置有漂移区和体区；所述漂移区内设置有漏区；所述体区内设置有重掺杂区和源区；所述外延层表面设置有多晶硅栅；所述多晶硅栅、所述源区及所述漏区表面设置有金属硅化物；

步骤二、在所述外延层上方依次淀积第一层介质层和第一层法拉第屏蔽层；

步骤三、利用光刻刻蚀工艺对所述第一层法拉第屏蔽层进行刻蚀，形成第一层法拉第屏蔽罩；

步骤四、淀积第二层介质层，并利用光刻刻蚀工艺去除覆盖所述第一层法拉第屏蔽罩的部分所述第二层介质层，使部分所述第一层法拉第屏蔽罩裸露；

步骤五、淀积第二层法拉第屏蔽层，并利用光刻刻蚀工艺形成第二层法拉第屏蔽罩，所述第一层法拉第屏蔽罩和所述第二层法拉第屏蔽罩形成互联结构；

步骤六、淀积金属前介质层，通过光刻和干刻打开所述金属前介质层，并进一步刻蚀所述外延层形成深沟槽，所述深沟槽的底部位于所述衬底中；

步骤七、刻蚀接触孔，淀积金属从而形成下沉通道和接触孔；

步骤八、形成第一金属层并刻蚀，与所述接触孔和所述下沉通道连接。