[发明专利]一种RFLDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、提供衬底，所述衬底上设置有外延层，所述外延层中设置有漂移区和体区；所述漂移区内设置有漏区；所述体区内设置有重掺杂区和源区；所述外延层表面设置有多晶硅栅；所述多晶硅栅、所述源区及所述漏区表面设置有金属硅化物；

步骤二、在所述外延层上方依次淀积第一层介质层和第一层法拉第屏蔽层；

步骤三、利用光刻刻蚀工艺对所述第一层法拉第屏蔽层进行刻蚀，形成第一层法拉第屏蔽罩；

步骤四、淀积第二层介质层，并利用光刻刻蚀工艺去除覆盖所述第一层法拉第屏蔽罩的部分所述第二层介质层，使部分所述第一层法拉第屏蔽罩裸露；

步骤五、淀积第二层法拉第屏蔽层，并利用光刻刻蚀工艺形成第二层法拉第屏蔽罩，所述第一层法拉第屏蔽罩和所述第二层法拉第屏蔽罩形成互联结构；

步骤六、淀积金属前介质层，通过光刻和干刻打开所述金属前介质层，并进一步刻蚀所述外延层形成深沟槽，所述深沟槽的底部位于所述衬底中；

步骤七、刻蚀接触孔，淀积金属从而形成下沉通道和接触孔；

步骤八、形成第一金属层并刻蚀，与所述接触孔和所述下沉通道连接。

2.根据权利要求1所述的RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于，步骤一中所述衬底为N型，或，所述衬底为P型。

3.根据权利要求1所述的RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于，步骤一中所述多晶硅栅包括栅氧化层、多晶硅以及侧墙。

4.根据权利要求1所述的RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于，步骤二中所述第一层介质层和步骤四中所述第二层介质层为氧化硅。

5.根据权利要求1所述的RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于，步骤二中所述第一层法拉第屏蔽层和步骤五中所述第二层法拉第屏蔽层由钛金属层、氮化钛层和钨金属层堆叠构成。

6.根据权利要求1所述的RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于，步骤三中所述第一层法拉第屏蔽罩位于所述多晶硅栅的漏区的侧面外的漂移区上方并覆盖所述多晶硅栅的侧面。

7.根据权利要求1所述的RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于，步骤五中所述第二层法拉第屏蔽罩跨过所述多晶硅栅延伸至部分所述体区和所述漂移区上方。

8.根据权利要求1所述的RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于，步骤七中淀积的所述金属为钨。

9.根据权利要求1所述的RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述方法还适用于形成具有两层以上法拉第屏蔽罩互联结构的RFLDMOS器件。

10.一种采用权利要求1至9中任一项所述RFLDMOS器件的制造方法形成的RFLDMOS器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上方的外延层；所述外延层中设置有漂移区和体区；所述漂移区内设置有漏区，所述体区内设置有重掺杂区和源区，所述重掺杂区与所述源区连接；

位于所述外延层表面的多晶硅栅，所述多晶硅栅包括所述栅氧层、多晶硅以及侧墙；

位于所述源区、所述漏区和所述多晶硅栅表面的金属硅化物；

法拉第屏蔽罩；

下沉通道和接触孔，所述下沉通道底部位于所述衬底中，贯穿所述体区和所述外延层；以及

第一金属层，与所述下沉通道和所述接触孔连接；

其中，所述法拉第屏蔽罩位于所述多晶硅栅上方，分为上下两层，第一层法拉第屏蔽罩位于多晶硅栅上方，与多晶硅栅之间间隔介质层；第二层法法拉第屏蔽罩位于所述第一层法拉第屏蔽罩的上方，且二者之间除了隔离的介质层还形成有互联结构。