[发明专利]带有顶部圆角沟槽隔离结构的制造方法在审
| 申请号： | 202111520625.7 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114284203A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张振兴;熊磊;谭理 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/308;H01L21/3065;H01L21/312 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种带有顶部圆角沟槽隔离结构的制造方法。该方法包括以下依次进行的步骤：提供硅衬底层，硅衬底层上定义有沟槽隔离结构窗口；使得聚合物气体流经硅衬底层；使得聚合物气体电离形成聚合物离子，聚合物离子沉积在沟槽隔离结构窗口的表面形成聚合物层；基于表面形成有形成聚合物层的沟槽隔离结构窗口，对硅衬底层进行第一次刻蚀，形成第一浅沟槽结构，第一浅沟槽结构的顶角上覆盖有剩余聚合物层；基于沟槽隔离结构窗口，对硅衬底层进行第二次刻蚀，使得第一浅沟槽结构向下延伸形成沟槽结构；剩余聚合物层对顶角的保护作用降低第二次刻蚀对顶角的刻蚀速率，使得顶角圆角化形成顶部圆角。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 顶部 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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