[发明专利]钙镁锆掺杂的钆镓石榴石晶体、其制备方法、应用及温场在审

专利信息
申请号: 202111519867.4 申请日: 2021-12-13
公开(公告)号: CN114250515A 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 桂训鹏;马晓 申请(专利权)人: 长飞光纤光缆股份有限公司
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B15/00;C30B15/14;G02F1/09
代理公司: 武汉臻诚专利代理事务所(普通合伙) 42233 代理人: 胡星驰
地址: 430074 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种钙镁锆掺杂的钆镓石榴石晶体、其制备方法及温场。本发明提供的钙镁锆掺杂的钆镓石榴石晶体,为立方晶系石榴石相,其中十二面体中的Gd3+(0.106nm)部分被具有较大离子半径的阳离子Ca2+(0.112nm)取代;八面体中的Ga3+(0.062nm)部分被具有较大离子半径的阳离子Mg2+(0.072nm)和Zr4+(0.075nm)取代,其晶胞参数为与掺Bi:RIG系薄膜的失配率小于0.05%,能够较好的帮助Bi:RIG系薄膜的生长。其制备方法,通过调节生长气氛、抑制Ga2O3的挥发,配合提拉法的工艺调整,避免了螺旋生长和晶体开裂的问题。本发明提供的用于制备所述钙镁锆掺杂的钆镓石榴石晶体的温场包括同心嵌套的氧化锆内筒、氧化锆砂保温层与氧化铝外筒;温场设置在提拉炉之内。
搜索关键词: 钙镁锆 掺杂 石榴石 晶体 制备 方法 应用
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