[发明专利]具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202111517390.6 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114203868A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 张骏;张毅;岳金顺 | 申请（专利权）人： | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/24;H01L33/32;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 张璐 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片及其制备方法，该深紫外芯片包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、n型AlGaN辅助扩展层、n型AlGaN接触层、量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层、p型GaN接触层和p电极，还包括n电极；沿p型GaN接触层一侧刻蚀至n型AlGaN接触层，n型AlGaN接触层形成阶梯状结构，n电极设置于n型AlGaN接触层的刻蚀区域处；沿n型AlGaN电子注入层到n型AlGaN接触层方向，n型AlGaN辅助扩展层的掺杂浓度线性递增，且Al组分百分数线性递减。本发明通过引入掺杂浓度和Al组分百分数均渐变的n型AlGaN辅助扩展层，使深紫外LED芯片的n极接触电压降低，从而显著提升深紫外LED芯片的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 型低阻 欧姆 接触 结构 深紫 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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