[发明专利]具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片，其特征在于，包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、n型AlGaN辅助扩展层、n型AlGaN接触层、量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层、p型GaN接触层和p电极，还包括n电极；

沿所述p型GaN接触层一侧刻蚀至所述n型AlGaN接触层，所述n型AlGaN接触层形成阶梯状结构，所述n电极设置于所述n型AlGaN接触层的刻蚀区域处，刻蚀后所述n型AlGaN接触层的厚度为所述n型AlGaN接触层初始厚度的0.1～0.9倍；

沿所述n型AlGaN电子注入层到所述n型AlGaN接触层方向，所述n型AlGaN辅助扩展层的掺杂浓度线性递增，且Al组分百分数线性递减。

2.根据权利要求1中所述的具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片，其特征在于，所述n型AlGaN电子注入层为Si掺杂的单层AlGaN结构，其Al组分百分数为70～100％，厚度为500～4000nm。

3.根据权利要求1中所述的具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片，其特征在于，所述n型AlGaN接触层为Si掺杂的单层AlGaN结构，其Al组分百分数为40～80％，厚度为10～1000nm。

4.根据权利要求1中所述的具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片，其特征在于，所述n型AlGaN电子注入层和所述n型AlGaN接触层两膜层的Al组分百分数满足：xy，x为n型AlGaN接触层的Al组分百分数，y为n型AlGaN电子注入层的Al组分百分数。

5.根据权利要求1中所述的具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片，其特征在于，所述n型AlGaN电子注入层和所述n型AlGaN接触层两膜层的Si掺杂浓度满足：ab，a为n型AlGaN接触层的Si掺杂浓度，b为n型AlGaN电子注入层的Si掺杂浓度。

6.根据权利要求1中所述的具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片，其特征在于，刻蚀后，所述n型AlGaN接触层的刻蚀面与所述n型AlGaN电子注入层的距离为50～3500nm，且所述n型AlGaN接触层的刻蚀面与所述量子阱有源层的距离为50～500nm。

7.一种如权利要求1～6中任一所述具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)在蓝宝石衬底上生长AlN本征层；

(2)在所述AlN本征层上生长n型AlGaN电子注入层；

(3)在所述n型AlGaN电子注入层上生长n型AlGaN辅助扩展层；

(4)在所述n型AlGaN辅助扩展层上生长n型AlGaN接触层；

(5)在所述n型AlGaN接触层上依次生长量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层；

(6)刻蚀并形成阶梯状结构：沿所述p型GaN接触层一侧刻蚀至所述n型AlGaN接触层，并形成阶梯状结构，刻蚀后所述n型AlGaN接触层的厚度为所述n型AlGaN接触层初始厚度的～倍；

(7)沉积p电极与n电极：在所述p型GaN接触层上沉积p电极，在刻蚀后所述n型AlGaN接触层上沉积n电极，得到具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片。

8.根据权利要求7中所述具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)与步骤(4)中满足，T1T2，其中T1为所述n型AlGaN接触层的生长温度，T2为所述n型AlGaN电子注入层的生长温度；

所述步骤(3)中，所述n型AlGaN辅助扩展层以温度线性递减的方式生长，所述n型AlGaN辅助扩展层的生长温度由T2渐变至T1。