[发明专利]磁畴壁移动元件和磁阵列在审
| 申请号： | 202111515848.4 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114639774A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 米村祥吾;佐佐木智生;柴田龙雄 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁畴壁移动元件和磁阵列。该磁畴壁移动元件包括：层叠体，其位于基板的上方，具有从靠近所述基板的一侧起依次层叠的铁磁性层、非磁性层和磁畴壁移动层；第1导电层；和第1表面层，所述非磁性层被夹在所述铁磁性层与所述磁畴壁移动层之间，所述第1导电层连接于所述磁畴壁移动层的上表面，所述第1表面层与所述磁畴壁移动层的上表面的至少一部分接触，所述第1表面层的电阻率比所述磁畴壁移动层的电阻率高。 | ||
| 搜索关键词： | 磁畴壁 移动 元件 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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