[发明专利]磁畴壁移动元件和磁阵列

权利要求书

1.一种磁畴壁移动元件，其包括：

层叠体，其位于基板的上方，具有从靠近所述基板的一侧起依次层叠的铁磁性层、非磁性层和磁畴壁移动层；

第1导电层；和

第1表面层，

所述非磁性层被夹在所述铁磁性层与所述磁畴壁移动层之间，

所述第1导电层连接于所述磁畴壁移动层的上表面，

所述第1表面层与所述磁畴壁移动层的上表面的至少一部分接触，

所述第1表面层的电阻率比所述磁畴壁移动层的电阻率高。

2.如权利要求1所述的磁畴壁移动元件，其中，

还包括与所述第1表面层的上表面接触的绝缘层。

3.如权利要求1或2所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第1表面层包含非晶或微晶。

4.如权利要求1～3中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第1表面层包含选自Bi、Ni、Cr、Ti、Zr、W中的至少任一种元素。

5.如权利要求1～4中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第1表面层的厚度为2nm以下。

6.如权利要求1～5中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述磁畴壁移动层的易磁化方向与所述磁畴壁移动层所扩展的面交叉。

7.如权利要求1～6中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第1导电层的至少一部分被夹在所述第1表面层与所述磁畴壁移动层之间。

8.如权利要求1～7中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

还具有与所述第1导电层的上表面接触的第2表面层，

所述第2表面层的电阻率比所述磁畴壁移动层的电阻率高。

9.如权利要求1～8中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

还具有与所述第1导电层的侧面接触的第3表面层，

所述第3表面层的电阻率比所述磁畴壁移动层的电阻率高。

10.一种磁阵列，其具有：

基板；和

多个权利要求1～9中任一项所述的磁畴壁移动元件，

多个所述磁畴壁移动元件集成于所述基板上。