[发明专利]一种基于HK-PGaN梯度超结的新型垂直GaN-HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111509416.2 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114203800A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 黄思源;陈兴;王东;吴勇;黄永;张金风;任泽阳;费一帆;马源辰;李俊鹏;王霄 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 房文亮 |
| 地址： | 241000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于HK‑PGaN梯度超结的新型垂直GaN‑HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件包括自下而上依次排布的Si衬底、AlN/GaN超晶格层、N |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 hk pgan 梯度 新型 垂直 gan hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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