[发明专利]一种快恢复二极管芯片的制造方法有效
| 申请号： | 202111505411.2 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114141883B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 邹有彪;倪侠;徐玉豹;张荣;王全;霍传猛;肖海林 | 申请（专利权）人： | 富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡阔雷 |
| 地址： | 230000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快恢复二极管芯片，包括N型单晶衬底，位于衬底内的P型低掺杂区，位于衬底内的P型高掺杂区，位于衬底上表面的钝化层，以及位于衬底上表面的金属层；N型单晶衬底的下表面设置有沟槽，N型单晶衬底位于沟槽的侧面设置有N型高掺杂区，以及在N型高掺杂区的下侧设置有金属层。通过选用N型单晶衬底，能大大降低快恢复二极管芯片的成本，同时通过在晶圆的背面形成沟槽，能将晶圆薄化，降低高阻层厚度，保证快恢复二极管芯片的正向压降，因而能提高产品的性价比。晶圆外围非沟槽区作为薄晶圆的支撑区，避免了薄片操作过程中发生破碎。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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