[发明专利]具有超低铜残留半导通孔多层板的制作方法在审
| 申请号： | 202111493436.5 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114302561A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 马洪伟;姜寿福 | 申请（专利权）人： | 江苏普诺威电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;H05K3/06;H05K3/22;H05K3/46;C23C28/02;C25D5/12;C25D7/00 |
| 代理公司： | 昆山中际国创知识产权代理有限公司 32311 | 代理人： | 孙海燕 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有超低铜残留半导通孔多层板的制作方法，包括以下步骤：开料与烘烤、内层线路、压合、外层钻孔、沉铜电镀、第一次树脂塞孔及研磨、二次钻靶、深度钻孔、第一次去除铜残留、第二次去除铜残留、第二次树脂塞孔及研磨、返沉铜、外层线路、阻焊和电镀镍金，本发明中利用特殊的蚀刻药水对盲孔进行两次去铜残留处理，因此制作出的多层板的半导通孔具有超低铜残留，满足了高频电路产品的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 超低铜 残留 半导通孔 多层 制作方法 | ||
【主权项】：
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