[发明专利]一种深紫外LED及其制备方法在审
| 申请号： | 202111492919.3 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114420800A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 郭康贤;程权炜 | 申请（专利权）人： | 广州大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/20;H01L33/22;H01L33/48 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深紫外LED的制备方法，包括以下步骤：(1)在SiC衬底上制备GaN薄膜；(2)在步骤(1)制备得到的GaN薄膜上制备AlN薄膜，得到SiC/GaN/AlN；(3)将SiC/GaN/AlN的AlN薄膜键合到蓝宝石衬底的上表面；(4)剥离SiC衬底，然后再利用膜分离技术去除GaN层，得到蓝宝石/AlN模板衬底；(5)在蓝宝石/AlN模板衬底的AlN薄膜上依次生长AlGaN过渡层、n‑AlGaN层、量子阱层、p‑AlGaN薄膜、p‑GaN薄膜和p型电极反射层。本发明还公开了上述方法制备的深紫外LED。本发明解决了晶格失配而导致AlN存在较多位错的问题，同时提高了深紫外LED的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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