[发明专利]一种深紫外LED及其制备方法

权利要求书

1.一种深紫外LED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在SiC衬底上制备GaN薄膜；

(2)在步骤(1)制备得到的GaN薄膜上制备AlN薄膜，得到SiC/GaN/AlN；

(3)将SiC/GaN/AlN的AlN薄膜键合到蓝宝石衬底的上表面；

(4)剥离SiC衬底，然后再利用膜分离技术去除GaN层，得到蓝宝石/AlN模板衬底；

(5)在蓝宝石/AlN模板衬底的AlN薄膜上依次生长AlGaN过渡层、n-AlGaN薄膜、量子阱层、p-AlGaN薄膜、p-GaN薄膜和p型电极反射层。

2.根据权利要求1所述的深紫外LED衬底的制备方法，其特征在于，步骤(5)之前还进行以下步骤：

对步骤(4)得到的蓝宝石/AlN模板衬底上的AlN薄膜进行刻蚀，使其呈周期性柱状结构。

3.根据权利要求2所述的深紫外LED的制备方法，其特征在于，所述周期性柱状结构的AlN柱之间的间距为AlN柱的横截面尺寸的6％～20％。

4.根据权利要求1或3所述的深紫外LED的制备方法，其特征在于，所述周期性柱状结构的AlN柱的顶部为凹半球形。

5.根据权利要求1所述的深紫外LED的制备方法，其特征在于，所述AlGaN过渡层为Al_0.3Ga_0.7N薄膜。

6.根据权利要求1所述的深紫外LED的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：将所述蓝宝石衬底的出光面刻蚀为半球形阵列结构。

7.根据权利要求1所述的深紫外LED的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述键合，具体为：采用原子扩散技术或表面活化技术进行键合。

8.根据权利要求1所述的深紫外LED的制备方法，其特征在于，所述GaN薄膜采用金属有机化合物化学气相制备；

所述AlN薄膜采用金属有机化合物化学气相制备。

9.根据权利要求1所述的深紫外LED的制备方法，其特征在于，所述剥离SiC衬底，具体为：采用激光剥离技术将SiC衬底剥离。

10.权利要求1～9任一项所述的深紫外LED的制备方法制备得到的深紫外LED，其特征在于，包括蓝宝石衬底、AlN薄膜层、AlGaN过渡层、n-AlGaN薄膜、量子阱层、p-AlGaN薄膜、p-GaN薄膜、p型电极反射层、第一焊点、第二焊点和基板；

所述蓝宝石衬底、AlN薄膜层、AlGaN过渡层、n-AlGaN薄膜、量子阱层、p-AlGaN薄膜、p-GaN薄膜、p型电极反射层依次层叠；

所述p型电极反射层依次通过第一焊点、第一焊盘与基板连接；

所述n-AlGaN层依次通过第二焊点、第二焊盘与基板连接。