[发明专利]一种光探测器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种光探测器件的制备方法，将生长于基底表面的磷化亚铜二维薄膜安放于热蒸发蒸镀仪器的样品座上，通过掩膜法在磷化亚铜表面沉积银电极；通过掩膜法在磷化亚铜表面沉积银电极，具体为：首先抽真空，当腔体真空度低于10pa时，将衬底加热至150℃～350℃；待真空计示数低于4.0×10‑3Pa时，开始蒸镀银薄膜；通过调节蒸发电流来控制蒸发速率，蒸发速率调节于1.8‑2.2A/s；当薄膜厚度增长至200～500纳米时，停止蒸镀，待其冷却至室温时，获得器件。本发明通过磷化亚铜与金属材料结合，形成肖特基二极管，制备该二极管所需原材料丰富，制备简单，成本低，对于可见光与近红外光光效应速率较好。