[发明专利]一种栅氧化层生长方法在审
| 申请号： | 202111491332.0 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN113889403A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李小红;胡海龙;杨世红 | 申请（专利权）人： | 陕西亚成微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02;C23C16/44;C23C16/40;C23C16/56 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种栅氧化层生长方法，以解决现有栅氧化层生长工艺中因氧化炉内管壁上的颗粒以及金属离子导致栅氧化层缺陷甚至失效的技术问题。本发明步骤包括：采用盐酸与氢氟酸的混合溶液、去离子水清洗氧化炉管道；采用化学气相沉积法，在氧化炉管道内管壁进行二氧化硅生长；将带氧化层的氧化炉管道安装在氧化炉上进行高温处理；对硅衬底进行清洗，并在预定时间内放置到高温处理后的氧化炉管道内；硅衬底在氧化炉管道内进行高温氧化，直至硅衬底的表面生长出所需厚度的栅氧化层；硅衬底在氩气氛围下进行退火处理。本发明可有效减少栅氧化层内的杂质及可动离子数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 生长 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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