[发明专利]一种电容器、芯片及电容器的制备方法有效
| 申请号： | 202111475179.2 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN113903857B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;王于波;王凯;陈燕宁;付振;刘芳;余山;邓永峰;吴波 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 高英英 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种电容器、芯片及电容器的制备方法，该电容器包括：第一电极、层叠电介质及第二电极，所述层叠电介质位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述层叠电介质包括两层以上电介质膜，相邻两层电介质膜的折射率不同，相邻两层电介质膜相接触的表面是非平坦的并且彼此配合。该电容器提高了各个电介质膜的表面平整度、降低了缺陷数量，而且提高了不同折射率电介质膜的耦合性，提升了层叠电介质的击穿电压和经时击穿性能，从而大幅度提高了电容器的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容器 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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