[发明专利]一种存储结构及其调控方法、存储器在审
| 申请号： | 202111473234.4 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN116234321A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 罗庆;徐彦楠;毕津顺 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10B53/30 | 分类号： | H10B53/30;H10B53/00;G11C5/14;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张珊珊 |
| 地址： | 100176 北京市经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种存储结构及其调控方法、存储器，该存储结构由第一金属电极、第一铁电层、反铁电层、第二铁电层和第二金属电极构成。由于这五个层次结构都为平面结构，更有利于3D结构的堆叠，即具有了尺寸可微缩性。且这种层次结构的排布使该存储结构中有四个矫顽电场的存在，在用于多值存储时，其具有更高的抗噪声能力，而且可以改善相邻值之间的交叠现象。以ZrO |
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| 搜索关键词： | 一种 存储 结构 及其 调控 方法 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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