[发明专利]一种存储结构及其调控方法、存储器在审
| 申请号： | 202111473234.4 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN116234321A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 罗庆;徐彦楠;毕津顺 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10B53/30 | 分类号： | H10B53/30;H10B53/00;G11C5/14;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张珊珊 |
| 地址： | 100176 北京市经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储 结构 及其 调控 方法 存储器 | ||
1.一种存储结构，其特征在于，所述存储结构包括：
第一金属电极；
在第一方向上，位于所述第一金属电极一侧的第一铁电层、反铁电层、第二铁电层、以及第二金属电极；
所述第一方向垂直于所述第一金属电极所在平面，且由所述第一金属电极指向所述第二金属电极。
2.根据权利要求1所述的存储结构，其特征在于，所述反铁电层的材料为ZrO2，其厚度范围为5mm-10mm。
3.根据权利要求1所述的存储结构，其特征在于，所述第一铁电层的厚度范围为1mm-3mm。
4.根据权利要求1所述的存储结构，其特征在于，所述第二铁电层的厚度范围为1mm-3mm。
5.一种存储结构的调控方法，其特征在于，用于调控权利要求1所述的存储结构，所述调控方法包括：
定义第一正向电压、第一反向电压、第二正向电压以及第二反向电压；
在所述第二金属电极上施加第一正向电压；
在所述第二金属电极上施加第二反向电压；
在所述第二金属电极上施加第一反向电压；
在所述第二金属电极上施加第二正向电压。
6.根据权利要求5所述的调控方法，其特征在于，所述第一正向电压值的绝对值与所述第一反向电压值的绝对值相同，所述第二正向电压值的绝对值与所述第二反向电压值的绝对值相同。
7.根据权利要求5所述的调控方法，其特征在于，所述第一正向电压值的绝对值大于所述第二正向电压值的绝对值，所述发第一反向电压值的绝对值大于所述第二反向电压值的绝对值。
8.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括权利要求1-4任一项所述的存储结构。
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