[发明专利]阻变式存储器的操作电路及操作方法在审
| 申请号： | 202111471751.8 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN114171086A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 黄鹏;张逸舟;冯玉林;康晋锋;刘晓彦;刘力锋 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变式存储器的操作电路及操作方法，操作电路包括至少一电容，串联于一阻变式存储器，使该阻变式存储器通过该电容接地。操作方法是串联至少一电容于一阻变式存储器，使该阻变式存储器通过该电容接地；施加成形或设定脉冲电压于该阻变式存储器，实现对该阻变式存储器的成形或设定操作。本发明通过在每个RRAM的底电极端串联一个电容，使该RRAM通过该电容接地，进而能够实现快速、低功耗的RRAM阵列的批量成形或设定过程，加速RRAM阵列成形或设定过程，减小成形或设定过程中的能耗，并提升成形或设定后的RRAM器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变式 存储器 操作 电路 操作方法 | ||
【主权项】：
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