[发明专利]一种高耐压增强型HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111438199.2 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114141871A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 尹以安;李佳霖;毛明华 | 申请（专利权）人： | 迪优未来科技（清远）有限公司;华南师大（清远）科技创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;刘慧丽 |
| 地址： | 511500 广东省清远市清远高新技术产业开发*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高耐压增强型HEMT器件及其制备方法，涉及HEMT器件领域。该HEMT器件包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上侧设有钝化层、阶梯型栅极和Γ型栅场板；AlGaN势垒层的一侧边缘设有源极，AlGaN势垒层的另一侧边缘设有漏极，钝化层位于AlGaN势垒层的中部区域，GaN沟道层靠近源极设有阶梯结构；阶梯型栅极设于对应阶梯结构的上侧，阶梯型栅极包括自下而上依次分布的P－GaN层、栅介质层和金属层，P－GaN层、栅介质层和金属层共同形成台阶底面，台阶底面与阶梯结构凹凸配合；金属层凸出于钝化层的上侧，Γ型栅场板设于钝化层的上侧，Γ型栅场板与阶梯型栅极的金属层并列布置，且Γ型栅场板朝靠近漏极一侧延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 增强 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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