[发明专利]纳米片的多阈值电压在审
| 申请号： | 202111435501.9 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114649399A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 张婧芸;安藤崇志;李忠贤;A·雷茨尼采克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王英杰;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构。该半导体结构包括在衬底上的纳米片堆叠，每个纳米片堆叠包括牺牲半导体材料和半导体沟道材料的交替层以及围绕纳米片堆叠的第一子组的半导体沟道层的结晶化栅极电介质层、在结晶化栅极电介质的顶部上并且包围纳米片堆叠的第一子组的半导体沟道材料层的偶极层、以及由围绕纳米片堆叠的第二子组的半导体沟道层的扩散的偶极材料改性的栅极电介质。一种方法，包括在衬底上形成纳米片堆叠，每个纳米片堆叠包括牺牲半导体材料和半导体沟道材料的交替层，去除纳米片堆叠的组的牺牲半导体材料层，形成围绕纳米片堆叠的半导体沟道层的栅极电介质，以及结晶化纳米片堆叠的子组的栅极电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阈值 电压 | ||
【主权项】：
暂无信息
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