[发明专利]具有互连的高密度ReRAM集成在审
| 申请号： | 202111429450.9 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114613804A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 安藤崇志;A·雷茨尼采克;P·哈希米;谢瑞龙 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘薇;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种交叉式ReRAM包括基板、在基板的上表面上彼此平行地延伸的多个第一列，其中多个第一列中的每一个包括由多个层组成的电阻式随机存取存储器(ReRAM)堆叠。多个第二列彼此平行地延伸，并且多个第二列垂直于多个第一列地延伸，其中多个第二列位于多个第一列之上，以使得多个第二列跨越多个第一列。介电层填充在多个第一列与多个第二列之间的空间中，其中，介电层与ReRAM堆叠的多个层中的每个层的侧壁直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 互连 高密度 reram 集成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
