[发明专利]基于近红外光电探测器与OLED的上转换器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种p‑InAlAs/i‑InGaAs/n‑InAlAs近红外光电探测器，其特征在于，包括：InP基底、位于InP基底上的n型InAlAs底电极接触层、位于底电极接触层上的i型InGaAs吸收层、位于吸收层上的p型InAlAs接触层以及氮化硅绝缘层。本发明还公开了一种基于近红外光电探测器与OLED的上转换器件，包括所述的p‑InAlAs/i‑InGaAs/n‑InAlAs近红外光电探测器以及形成于p型InAlAs接触层上的OLED器件，所述InP基底的背面设有底电极。本发明的基于近红外光电探测器与OLED的上转换器件，提升了近红外光电探测器的响应率，同时实现了InAlAs材料与OLED结构的集成问题，实现红外光‑可见光的转换功能。