[发明专利]一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器

摘要

本发明公开了一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，包括基体B、A1层和A2层，所述A1层和A2层分别设置于基体B的上表面和下表面，所述A1层的边缘覆盖有O1层，所述A2层的边缘覆盖有02层，所述A1层和A2层之间设置有基体B，所述基体B的顶部设有不同半径但宽度相同的圆环柱F1‑F3，所述基体B顶部的中央悬浮有中央收集阳极FO，所述基体B的底部设有外围电极C1‑C9，且通过D连接在一起。本发明三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器以其均匀的电势电场分布，没有死区，电荷收集率高等优点，可应用在光子物理实验以及较低辐照强度的科研领域。通过对三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器的研究，可以使三维理想球型电极硅探测器的设想得以实现。