[发明专利]一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器

权利要求书

1.一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，包括基体B、A1层和A2层，其特征在于，所述A1层和A2层分别位于基体B的上表面和下表面，所述A1层的边缘覆盖有O1层，所述A2层的边缘覆盖有02层，所述A1层和A2层之间设置有基体B，所述基体B的顶部设有不同半径但宽度相同的圆环柱F1-F3，所述基体B顶部的中央悬浮有中央收集阳极FO，所述基体B的底部设有外围电极C1-C9，且通过D连接在一起，形成球型阴极。

2.根据权利要求1所述的一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，其特征在于，所述A1层和A2层均为铝层，且厚度为1μm。

3.根据权利要求1所述的一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，其特征在于，所述O1层和O2层均为氧化层二氧化硅，且厚度为0.5μm。

4.根据权利要求1所述的一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，其特征在于，所述基体B的材质为超纯高阻硅。

5.根据权利要求4所述的一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，其特征在于，所述基体B为N型轻掺杂，掺杂浓度为1×10¹²cm^-3。

6.根据权利要求1所述的一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，其特征在于，所述圆环柱F1-F3的厚度均为1μm，所述F1-F3圆环柱的掺杂类型为P型重掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3。

7.根据权利要求1所述的一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，其特征在于，所述中央收集阳极FO的厚度为1μm，掺杂类型为N型重掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3。

8.根据权利要求1所述的一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，其特征在于，所述圆柱体D的厚度为1μm，掺杂类型为P型重掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3。

9.根据权利要求1所述的一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，其特征在于，所述外围电极C1-C9，为不同宽度和高度的圆环柱，P型重掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁹cm^-3，且通过D连接在一起，形成球型阴极。