[发明专利]一种利用焦耳热制备单质硅的方法有效
| 申请号： | 202111363746.5 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN114074942B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 李彬;马艺茹;张兴豪;徐广蕊;林海峰;王磊 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | C01B33/023 | 分类号： | C01B33/023;C01B33/037;B82Y40/00;H01M4/38;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘丹丹 |
| 地址： | 266000*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用焦耳热制备单质硅的方法，属于锂离子电池负极材料制备技术领域。本发明利用焦耳热制备单质硅，焦耳热具有快速升温，快速加热的优点，并且能够保证加热的均一性，因此，本发明可快速制备单质硅。本发明得到第一粗硅后，将所述第一粗硅升温至1100～1300℃进行第二保温，可以实现副产物硅化镁分解，实现粗硅的第一次提纯，然后升温至1500～2000℃可以实现镁的快速蒸发，实现二次提纯，因此，本发明制备的单质硅具有较高的纯度，不存在后处理不安全的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 焦耳 制备 单质 方法 | ||
【主权项】：
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