[发明专利]多级沟槽半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202111363556.3 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN113990801A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 袁俊 | 申请（专利权）人： | 湖北九峰山实验室 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 耿苑 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种多级沟槽半导体器件及其制作方法中，包括：外延片，所述外延片包括半导体基底以及位于所述半导体基底表面上的外延层；设置在所述外延层背离所述半导体基底一侧的深沟槽；所述深沟槽包括在第一方向上依次排布的多个子沟槽；所述第一方向为所述深沟槽的开口指向底部的方向；相邻的两个子沟槽中，靠近所述深沟槽底部的子沟槽的宽度小于远离所述深沟槽底部的子沟槽的宽度；所述深沟槽的侧壁以及底部具有掺杂层；所述外延层背离所述半导体基底一侧表面内具有包围所述深沟槽开口的电场缓冲区，所述电场缓冲区与所述掺杂层接触；所述掺杂层以及所述电场缓冲区均是与所述外延层反型掺杂。本申请技术方案可以增强器件的可制造性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 沟槽 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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