[发明专利]用于先进集成电路结构制造的具有锥变栅极或沟槽接触部的有源栅极上接触结构在审
| 申请号： | 202111357798.1 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN114639724A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | C·H·华莱士;M·K·哈兰;A·C-H·韦 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了具有锥变栅极或沟槽接触部的有源栅极上接触(COAG)结构。在示例中，一种集成电路结构包括在衬底上方的多个栅极结构，其中，多个栅极结构中的各个栅极结构上具有在侧壁间隔体之间的导电帽盖。多个导电沟槽接触结构与多个栅极结构交替，其中，多个导电沟槽接触结构中的各个导电沟槽接触结构上具有在侧壁间隔体之间的导电帽盖。导电结构与在多个栅极结构中的一个栅极结构上的导电帽盖和侧壁间隔体或者与在多个导电沟槽接触结构中的一个导电沟槽接触结构上的导电帽盖和侧壁间隔体直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 先进 集成电路 结构 制造 具有 栅极 沟槽 接触 有源 | ||
【主权项】：
暂无信息
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