[发明专利]一种探测碲镉汞芯片PN结有效结深的方法在审
| 申请号： | 202111351411.1 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN114141645A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 何斌;刘世光;祁娇娇;戴永喜;杨刚 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 华枫 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种探测碲镉汞芯片PN结有效结深的方法，属于半导体技术领域，包括：选取经过离子注入退火成结工艺形成并且已经钝化后的碲镉汞芯片；将碲镉汞芯片离子注入区分成多个区域，去除各区域内的钝化层及钝化层下方的部分离子注入区，形成按预设深度梯度排列的多个接触孔；在各接触孔上生长金属电极；测量不同腐蚀深度下各金属电极的电压电流曲线；当电压电流曲线由肖特基曲线转为线性时，判定对应的PN结结深为所述碲镉汞芯片的有效结深。本发明与碲镉汞原有的芯片制造工艺相同，可以应用于碲镉汞红外探测器的工艺生产过程中，实时监控离子注入后碲镉汞的有效结深。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测 碲镉汞 芯片 pn 有效 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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