[发明专利]非易失性存储器的形成方法

摘要

本发明提供了一种非易失性存储器的形成方法，包括：在衬底内依次形成低压阱区、高压阱区和cell区；在高压阱区和cell区的衬底上形成图案化的第一多晶硅层；在图案化的第一多晶硅层上形成ONO层；在低压阱区的衬底上和ONO层上形成第二多晶硅层；依次刻蚀高压阱区和cell区上的第二多晶硅层、ONO层和图案化的第一多晶硅层，以形成第二栅极、栅间介质层和第一栅极，第二栅极、栅间介质层和第一栅极均为柱状结构并均对齐，且横截面积均相同；刻蚀低压阱区的衬底上的第二多晶硅层形成第三栅极，去除高压阱区上的第二栅极和栅间介质层露出第一栅极；在第三栅极的表面、第一栅极的表面和第二栅极的表面均形成接触孔。