[发明专利]非易失性存储器的形成方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底内依次形成低压阱区、高压阱区和cell区，所述低压阱区、高压阱区和cell区之间均使用浅沟槽隔离结构隔开；

在所述高压阱区和cell区的衬底上形成图案化的第一多晶硅层，所述图案化的第一多晶硅层露出所述高压阱区和cell区之间的浅沟槽隔离结构；

在所述图案化的第一多晶硅层上形成ONO层，所述ONO层还覆盖所述高压阱区和cell区之间的浅沟槽隔离结构；

在所述低压阱区的衬底上和所述ONO层上形成第二多晶硅层；

依次刻蚀所述第二多晶硅层、ONO层和第一多晶硅层，以在所述高压阱区和cell区的衬底上均形成第二栅极、栅间介质层和第一栅极，所述第二栅极、栅间介质层和第一栅极均为柱状结构并均对齐，所述第二栅极、栅间介质层和第一栅极的横截面积均相同；

刻蚀所述低压阱区的第二多晶硅层形成第三栅极，同时，去除所述高压阱区上的第二栅极和栅间介质层露出所述第一栅极；

在所述第三栅极、第一栅极和第二栅极上均形成接触孔。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于， 在提供衬底之后，还包括在所述衬底上形成栅氧化层。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，形成所述浅沟槽隔离结构的方法包括：刻蚀所述栅氧化层和所述衬底形成沟槽，填充所述沟槽形成浅沟槽隔离结构。

4.如权利要求2所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，形成图案化的第一多晶硅层的方法包括：

在所述栅氧化层上形成第一多晶硅层，刻蚀去除所述低压阱区的第一多晶硅层，以露出所述低压阱区的衬底。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，所述第一多晶硅层为掺杂多晶硅，所述第二多晶硅层为非掺杂多晶硅。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，形成所述高压阱区和cell区的ONO层的方法包括：

在所述低压阱区的衬底的表面和所述图案化的第一多晶硅层上形成ONO层；

刻蚀去除所述低压阱区的衬底的表面的ONO层，以露出所述低压阱区的衬底。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，所述低压阱区包括低压P型阱区和低压N型阱区，所述低压P型阱区和低压N型阱区之间使用浅沟槽隔离结构隔开。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，所述低压P型阱区和低压N型阱区的衬底上均具有第三栅极。

9.如权利要求1所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，所述高压阱区包括高压P型阱区和高压N型阱区，所述高压P型阱区和高压N型阱区之间使用浅沟槽隔离结构隔开。

10.如权利要求9所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，所述高压P型阱区和高压N型阱区的衬底上均具有第一栅极。