[发明专利]一种MPS二极管的制备方法及MPS二极管在审
| 申请号： | 202111343383.9 | 申请日： | 2021-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN114242767A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张益鸣;刘杰 | 申请（专利权）人： | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体领域，提供了一种MPS二极管的制备方法及MPS二极管，包括以下步骤：在第一外延层的上表面形成出第二外延层；在第二外延层的上表面形成第三外延层，其中，第三外延层的掺杂浓度小于第二外延层的掺杂浓度，第二外延层的掺杂浓度大于第一外延层的掺杂浓度；在第三外延层中形成漂移掺杂区，其中，漂移掺杂区的深度大于第三外延层的厚度；在第三外延层和漂移掺杂区上表面形成阳极金属层，在第一外延层的下表面形成阴极金属层。在MPS二极管正向开启时，MPS二极管电阻率低，当反向开启时，第二外延层和第三外延层呈现高电阻状态，可降低阳极金属层下方的表面电场强度分布，解决了MPS的漏电流较大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mps 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳芯能半导体技术有限公司，未经深圳芯能半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111343383.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电极盖板、电极、锂电池及生产工艺
- 下一篇：接线端子
- 同类专利
- 专利分类
