[发明专利]一种MPS二极管的制备方法及MPS二极管在审
| 申请号： | 202111343383.9 | 申请日： | 2021-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN114242767A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张益鸣;刘杰 | 申请（专利权）人： | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mps 二极管 制备 方法 | ||
1.一种MPS二极管的制备方法，其特征在于，包括：
在第一外延层的上表面形成第二外延层；
在所述第二外延层的上表面形成第三外延层；其中，所述第三外延层的掺杂浓度小于所述第二外延层的掺杂浓度，所述第二外延层的掺杂浓度小于所述第一外延层的掺杂浓度；
在所述第三外延层中形成漂移掺杂区；其中，所述漂移掺杂区的深度大于所述第三外延层的厚度；
在所述第三外延层和所述漂移掺杂区的上表面形成阳极金属层，在所述第一外延层的下表面形成阴极金属层。
2.如权利要求1所述的MPS二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述第一外延层上形成所述第二外延层，包括：
采用磷源作为掺杂剂在所述第一外延层的上表面进行外延生长形成所述第二外延层。
3.如权利要求2所述的MPS二极管的制备方法，其特征在于，所述磷源为磷烷或三氯化磷。
4.如权利要求1所述的MPS二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述第二外延层上形成所述第三外延层，包括：
采用砷源作为掺杂剂在所述第二外延层的上表面进行外延生长形成所述第三外延层。
5.如权利要求1所述的MPS二极管的制备方法，其特征在于，所述第一外延层的表面电阻率为0.003-0.005Ω*cm^2。
6.如权利要求1所述的MPS二极管的制备方法，其特征在于，在所述第三外延层形成所述漂移掺杂区，包括：
在所述第三外延层的上表面形成第一氧化层；
对所述第一氧化层进行刻蚀，以露出所述漂移掺杂区的掺杂位置；
在所述掺杂位置的上表面形成第二氧化层；
通过所述第二氧化层在所述掺杂位置注入P型掺杂离子，以形成漂移掺杂区；其中，所述漂移掺杂区埋入所述第二外延层内。
7.如权利要求6所述的MPS二极管的制备方法，其特征在于，通过所述第二氧化层在所述掺杂位置注入P型掺杂离子，以形成漂移掺杂区，包括：
采用硼源作为掺杂源通过所述第二氧化层在所述在所述掺杂位置注入硼离子；其中，所述第二氧化层的厚度为0.1-0.5um；
对注入硼离子的器件进行退火处理，以形成漂移掺杂区。
8.如权利要求7所述的MPS二极管的制备方法，其特征在于，所述硼源为乙硼烷或三氯化硼。
9.如权利要求1所述的MPS二极管的制备方法，其特征在于，所述第三外延层的厚度为1-5um。
10.一种MPS二极管，其特征在于，所述MPS二极管由如权利要求1-9任一项所述的制备方法所制备。
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