[发明专利]一种晶体管网格状绕线的方法在审
申请号: | 202111342691.X | 申请日: | 2021-11-12 |
公开(公告)号: | CN114068522A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 袁天浩 | 申请(专利权)人: | 杭州广立微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/544 |
代理公司: | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人: | 赵新民 |
地址: | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种晶体管网格状绕线的方法,过程包括:选取若干待绕线晶体管;基于所述若干待绕线晶体管的数量及需绕线管脚分配端绕线区;进行预定义,定义内容包括金属层数量、每层金属层中金属线的线宽与间隙大小;根据所述金属层数量、所述线宽与所述间隙大小,在所述端绕线区填充相应的金属线;将所述需绕线管脚延伸线的方向设为水平方向,将填充的金属线中竖直方向的金属线延伸,直至与需绕线管脚延伸线相交连接;和/或将填充的金属线延伸至其所在金属层的边缘后,通过设置连接结构与需绕线管脚延伸线相互连接。本发明的方法能实现晶体管网络状自动绕线,极大简化了绕线过程,在不同的工艺、客户、制造方法上能重复使用,适用范围广,应用潜力大。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 管网 格状 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州广立微电子股份有限公司,未经杭州广立微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111342691.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种石墨烯增强镍基合金复合材料及其制备方法
- 下一篇:一种机电一体感应式锁扣
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的