[发明专利]一种晶体管网格状绕线的方法

说明书

本发明提供一种晶体管网格状绕线的方法，过程包括：选取若干待绕线晶体管；基于所述若干待绕线晶体管的数量及需绕线管脚分配端绕线区；进行预定义，定义内容包括金属层数量、每层金属层中金属线的线宽与间隙大小；根据所述金属层数量、所述线宽与所述间隙大小，在所述端绕线区填充相应的金属线；将所述需绕线管脚延伸线的方向设为水平方向，将填充的金属线中竖直方向的金属线延伸，直至与需绕线管脚延伸线相交连接；和/或将填充的金属线延伸至其所在金属层的边缘后，通过设置连接结构与需绕线管脚延伸线相互连接。本发明的方法能实现晶体管网络状自动绕线，极大简化了绕线过程，在不同的工艺、客户、制造方法上能重复使用，适用范围广，应用潜力大。

技术领域

本发明属于半导体设计与生产领域，尤其涉及一种晶体管网格状绕线的方法。

背景技术

晶体管是集成电路的基本单元，是半导体芯片普遍应用的器件。随着集成电路的广泛应用，对集成度的要求越来越高，集成度越高，各种电子元件越微型化，晶体管的性能对集成电路的影响也就越显著。在晶体管的生产过程中，影响其性能的因素多种多样，需要完成晶体管不同类型的测试以保证晶体管的性能良好。在晶体管测试阶段，一般需要分别对源极（S）、漏极（D）、栅极（G）、衬底极（B）进行加压，从而实现不同类型的测试。但是由于D、G、S、B四端到管脚（Pin）之间的绕线存在一定的电阻，因此加压端到测试端会存在一定的压降，导致测试结果可能会存在偏差。为了降低绕线电阻，通常使用网格状绕线，一般是金属层交错并联。

传统的网格状绕线有两种类型，均是通过人工手动绕线。第一种是在大面积的金属层中挖孔，形成网格以降低绕线电阻，如图1所示；第二种是将多层的多条金属线通过通孔实现交错连接，形成密集的网格降低电阻，如图2所示。随着集成电路技术的不断升级，当前先进工艺下的金属层不允许拐弯，只能走直线，因此第一种大块金属挖孔的方法不适用于先进工艺，应用潜力不足。多层的多条金属线交错连接虽然可以适用于不同的工艺要求（无论工艺是否允许金属拐弯），但是人工手动绕线过程繁琐，容易发生通孔错位导致连接出错，而且针对不同的工艺节点以及不同的客户需求，每个项目都需要重新排布绕线，在不同项目之间的可重复性差且精准性低，不能很好的满足客户需求和实际生产应用。

因此目前十分需要研究一种晶体管网格状绕线的方法，具有更好的应用潜力，可以根据管脚（Pin）实现自动绕线，提高可重复性和精准性、完善工艺的同时优化效率，以此进一步推动晶体管测试技术的深层次发展及广泛应用。

发明内容

本发明是为解决上述现有技术的全部或部分问题，本发明一方面提供了一种晶体管网格状绕线的方法，能够根据管脚（Pin）实现自动绕线，解决晶体管网格状绕线问题。

本发明提供的一种晶体管网格状绕线的方法，过程包括：选取若干待绕线晶体管，所述待绕线晶体管包括源极（S）端、漏极（D）端、栅极（G）端、衬底极（B）端；基于所述若干待绕线晶体管的数量及需绕线管脚分配端绕线区；进行预定义，定义内容包括金属层数量、每层金属层中金属线的线宽与间隙大小；根据所述金属层数量、所述线宽与所述间隙大小，在所述端绕线区填充相应的金属线；将所述需绕线管脚延伸线的方向设为水平方向，将填充的金属线中竖直方向的金属线延伸，直至与所述需绕线管脚延伸线相交连接；和/或将填充的金属线延伸至其所在金属层的边缘后，通过设置连接结构与所述需绕线管脚延伸线相互连接。在有一些实施例中，先根据所述金属层数量、所述线宽与所述间隙大小，填充相应的金属线，然后根据所述需绕线管脚的位置分配所述端绕线区。也可以先根据所述需绕线管脚的位置分配所述端绕线区，再进行填充绕线。结合实际工艺和具体情况实施并不限定。

根据所述需绕线管脚的位置分配所述端绕线区包括遵循就近原则进行分配。遵循就近原则，有利于最大程度的减小因连接线电阻产生的影响。

所述若干待绕线晶体管的数量为多个时，为每个所述待绕线晶体管分配大小相同的晶体管绕线区。每个所述待绕线晶体管分配大小相同的区域有利于使不同所述待绕线晶体管的相同管脚所分配的端绕线区的电阻误差减小。