[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202111332602.3 | 申请日： | 2021-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN114512439A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 高桥彻雄;藤井秀纪;本田成人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L25/11;H01L29/739;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供半导体装置，其适于低成本化，不使RBSOA等的破坏耐量降低，能够降低FWD动作时的恢复损耗。具有：FWD区域，其形成于基板，在该基板的上表面侧具有p型阳极区域、p型杂质浓度比该p型阳极区域高的第一p型接触区域、第一沟槽；IGBT区域，其形成于该基板，在俯视观察时隔着边界区域将该FWD区域包围，在该基板的上表面侧具有n型发射极区域、第二p型接触区域、第二沟槽；以及外周区域，其在俯视观察时将该FWD区域、该边界区域和该IGBT区域包围，该第一沟槽在俯视观察时沿该FWD区域的外缘形成为环状，该第二沟槽在俯视观察时沿该边界区域的外缘形成为环状，在该边界区域的上表面侧仅具有p型区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
