[发明专利]非易失性存储器装置在审
| 申请号： | 202111330921.0 | 申请日： | 2021-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN114822647A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李明雨;金采勳;金志桓;宋仲镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C5/02;G11C5/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 方成;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，在第一半导体层中并且包括连接到第一字线和第一位线的第一存储器单元和连接到第一字线和第二位线的第二存储器单元；页缓冲器电路，在第二半导体层中并且包括连接到第一位线的第一页缓冲器和连接到第二位线的第二页缓冲器；以及页缓冲器控制器，在第二半导体层中。页缓冲器控制器控制第一页缓冲器和第二页缓冲器，使得第一页缓冲器的第一感测节点的发展时序与第二页缓冲器的第二感测节点的发展时序不同。第一页缓冲器比第二页缓冲器靠近贯穿电极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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