[发明专利]非易失性存储器装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包括：

存储器单元阵列，形成在第一半导体层中并且包括第一存储器单元和第二存储器单元，第一存储器单元连接到第一字线和第一位线，第二存储器单元连接到第一字线和第二位线；

页缓冲器电路，形成在第二半导体层中，第二半导体层在第一方向上位于第一半导体层下方，页缓冲器电路包括第一页缓冲器和第二页缓冲器，第一页缓冲器通过在第一方向上穿过第一半导体层和第二半导体层的第一贯穿电极连接到第一位线，第二页缓冲器通过在第一方向上穿过第一半导体层和第二半导体层的第二贯穿电极连接到第二位线；以及

页缓冲器控制器，形成在第二半导体层中，并且被配置为控制第一页缓冲器和第二页缓冲器分别检测分别存储在第一存储器单元和第二存储器单元中的数据值，其中，第一页缓冲器的第一感测节点的发展时序与第二页缓冲器的第二感测节点的发展时序不同，

其中，第一页缓冲器比第二页缓冲器靠近第二半导体层的贯穿电极区域，第一贯穿电极和第二贯穿电极设置在贯穿电极区域中。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第一贯穿电极通过第一半导体层的第一上部接触件连接到第一位线，并且通过第二半导体层的第一下部导电线连接到第一页缓冲器，并且

第二贯穿电极通过第一半导体层的第二上部接触件连接到第二位线，并且通过第二半导体层的第二下部导电线连接到第二页缓冲器。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第二感测节点的发展起始点比第一感测节点的发展起始点早。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第一感测节点的发展起始点比第二感测节点的发展起始点早。

5.根据权利要求1至权利要求4中的任一项所述的非易失性存储器装置，其中，第二感测节点的发展时间比第一感测节点的发展时间少。

6.根据权利要求1至权利要求4中的任一项所述的非易失性存储器装置，其中，第一感测节点的预充电时序与第二感测节点的预充电时序不同。

7.根据权利要求1至权利要求4中的任一项所述的非易失性存储器装置，其中，第一页缓冲器和第二页缓冲器在垂直于第一方向的第二方向上被布置成排。

8.一种非易失性存储器装置，包括：

存储器单元阵列，形成在第一半导体层中，并且包括共同连接到第一字线并分别连接到位线的多个存储器单元；

页缓冲器，形成在第二半导体层中，第二半导体层在第一方向上位于第一半导体层下方，页缓冲器经由在第一方向上穿过第一半导体层和第二半导体层的贯穿电极分别连接到位线；以及

页缓冲器控制器，形成在第二半导体层中，并且被配置为：基于不同的控制时序，控制页缓冲器分别检测分别存储在所述多个存储器单元中的数据值，

其中，页缓冲器相对于第二半导体层的贯穿电极区域在垂直于第一方向的第二方向上被布置成排，贯穿电极设置在贯穿电极区域中。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器装置，其中，贯穿电极通过第一半导体层的上部接触件分别连接到位线，并且通过第二半导体层的下部导电线分别连接到页缓冲器。

10.根据权利要求8所述的非易失性存储器装置，其中，页缓冲器之中的第一页缓冲器比页缓冲器之中的第二页缓冲器靠近贯穿电极区域，并且

第一页缓冲器的第一感测节点的发展时序与第二页缓冲器的第二感测节点的发展时序不同。

11.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，其中，第二感测节点的发展起始点比第一感测节点的发展起始点早。

12.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，其中，第一感测节点的发展起始点比第二感测节点的发展起始点早。