[发明专利]一种还原剂可控制备多孔硅材料的方法有效

专利信息
申请号: 202111329615.5 申请日: 2021-11-11
公开(公告)号: CN114044519B 公开(公告)日: 2023-10-20
发明(设计)人: 张海娇;朱冠家;成慧 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021;C01B33/023;H01G11/30;H01G11/86;H01M4/38
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种多孔硅材料的可控制备方法,以硅的氧化物SiOx为主要原料,硼化镁为还原剂,通过镁热还原反应得到单质硅和氧化镁等混合物,经酸洗后得到多孔硅材料。本发明制备的多孔硅材料保留了原始材料的典型形貌特征,并展现出丰富的介孔结构。这种独特的可调控的多孔结构,不仅能有效缓解体积变化引起的机械应变,而且有利于提高电化学反应过程的传输动力学。同时,本发明具有制备工艺简单、反应可控和可通用策略等优势。通过该法制备的微米和纳米多孔硅材料在锂离子电池等新能源领域具有潜在的应用前景。
搜索关键词: 一种 还原剂 可控 制备 多孔 材料 方法
【主权项】:
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