[发明专利]一种高介电高击穿储能陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 202111324522.3 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN113912392A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 高景晖;刘泳斌;徐靖喆;钟力生 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/622;C04B41/88 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 覃婧婵 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本公开揭示了一种高介电高击穿储能陶瓷，储能陶瓷的组分及摩尔百分比含量为：(1‑x)Bal‑ySryTi |
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| 搜索关键词： | 一种 高介电高 击穿 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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