[发明专利]一种高介电高击穿储能陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种高介电高击穿储能陶瓷，其特征在于，所述储能陶瓷的组分及摩尔百分比含量为：(1-x)Ba1-ySryTi_0.895Sn_0.105O₃-xBi_1.5ZnNb_1.5O₇，其中，0.10≤x≤0.20，0.10≤y≤0.20。

2.一种制备如权利要求1所述高介电高击穿储能陶瓷的方法，优选的，包括如下步骤：

S100：按照化学计量式，分别称取BaCO₃粉料、TiO₂粉料、SrCO₃粉料、SnO₂粉料、Bi₂O₃粉料、ZnO粉料及Nb₂O₅粉料混合后球磨，获得混合粉料；

S200：将混合粉料烘干、研磨、过筛；

S300：将过筛后的混合粉料在1200-1250℃预烧，将预烧后的混合粉料保温后自然冷却；

S400：将自然冷却后的混合粉料进行二次研磨和二次球磨，将二次球磨后的混合粉料二次烘干；

S500：将二次烘干后的混合粉料进行三次研磨，获得化学组成通式为(1-x)Ba1-ySryTi_0.895Sn_0.105O₃-xBi_1.5ZnNb_1.5O₇的粉料；

S600：在步骤S500所述粉料中加入聚乙烯醇PVA混合，二次过筛后获得粒料，对粒料进行压片、排胶，获得(1-x)Bal-ySryTi_0.895Sn_0.105O₃-xBi_1.5ZnNb_1.5O₇生坯；

S700：将(1-x)Bal-ySryTi_0.895Sn_0.105O₃-xBi_1.5ZnNb_1.5O₇生坯在1200～1350℃下烧结，制得高介电高击穿储能陶瓷。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，步骤S100和步骤S400中，球磨时长为6-8个小时。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，步骤S200和步骤S500中，选用60目筛网对混合粉料进行过筛操作。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，步骤S300中，将预烧后的混合粉料保温4-6h。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，步骤S400中，将二次球磨后的混合粉料在120-140℃中进行二次烘干。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，步骤S600中，对粒料在30MPa压力下进行压片。

8.根据权利要求2所述的方法，其中，步骤S700中，在对(1-x)Ba1-ySryTi_0.895Sn_0.105O₃-xBi_1.5ZnNb_1.5O₇生坯烧结的过程中，需要加入如步骤S100所述的混合粉料作为埋料。

9.根据权利要求2所述的方法，其中，在制得高介电高击穿储能陶瓷后，还需要在其表面进行烧电极操作，具体操作步骤如下：将烧制好的高介电高击穿储能陶瓷打磨光滑后在其上表面和下表面涂抹银浆，在800℃保温20分钟后自然冷却至室温。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，涂抹在高介电高击穿储能陶瓷上表面和下表面的银浆的厚度为100-200nm。