[发明专利]一种硅片清洗过程异常的排查方法在审
| 申请号： | 202111319490.8 | 申请日： | 2021-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN114121699A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 钟观发;吴坚;蒋方丹 | 申请（专利权）人： | 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02;H01L31/0236;H01L31/072;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王艳斋 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市秀*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅片清洗过程异常的排查方法，所述排查方法包括：(Ⅰ)在不同的工艺槽内对硅片进行完整的制绒清洗工序后进行少子寿命检测，检测到的少子寿命低于标准值，表明制绒清洗工序中的至少一个工艺槽出现异常，对工艺槽逐一排查；(Ⅱ)采用与步骤(Ⅰ)中制绒清洗工序相同的操作过程和工艺参数，仅省去其中一个工艺槽，完成制绒清洗后，检测硅片表面的少子寿命；(Ⅲ)如果少子寿命恢复至标准值，表明省去的工艺槽出现异常；如果少子寿命仍低于标准值，对下一个工艺槽重复进行步骤(Ⅱ)，直至排查出异常的工艺槽。通过少子寿命异常判断制绒清洗工序中各个工艺槽是否存在污染并锁定异常的工艺槽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 清洗 过程 异常 排查 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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