[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111317942.9 | 申请日： | 2021-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN116093740A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;李晶;王海玲;渠红伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/10;H01S5/065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体激光器，包括：依次生长在衬底上的第一限制层、有源层、第二限制层及波导层，其中，波导层上表面部分刻蚀形成主振荡结构，另一部分刻蚀形成功率放大结构，其中，主振荡结构与功率放大结构之间设置电隔离区，主振荡结构用于产生种子源，功率放大结构用于将种子源进行功率放大后输出；其中，主振荡结构包括至少一组光子晶体结构，和/或功率放大结构包括至少一组光子晶体结构；光子晶体结构用于将多模的种子源转换为单模的种子源。本公开还提供了一种半导体激光器的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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