[发明专利]一种红外焦平面阵列及其制备方法有效
申请号: | 202111317545.1 | 申请日: | 2021-11-08 |
公开(公告)号: | CN114122182B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 薛春来;徐国印;丛慧;徐驰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/0216 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王文思 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开提供了一种红外焦平面阵列及其制备方法,其中,红外焦平面阵列包括:图形衬底;IV族材料外延层,生长于上述图形衬底上;钝化层,覆盖于上述IV族材料外延层上,且设有第一电极孔和第二电极孔;第一电极,设置于上述第一电极孔内,与上述图形衬底相连接;第二电极,设置于上述第二电极孔内,与上述IV族材料外延层相连接;抗氧化层,覆盖于上述钝化层上,且设有通孔;互联金属层,设置于上述通孔内。本公开提供的红外焦平面阵列中的带有图形的图形衬底能够增加进入IV族材料外延层中的光,并且能够改善外延材料的应力,提高外延材料质量,同时,采用IV族材料还可以提高红外焦平面阵列的读出电路的兼容性,以及降低制作成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外 平面 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的